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產(chǎn)品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650PVD銅靶材鍍膜濺射儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)，銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD為臺(tái)式磁控濺射鍍膜機(jī)，儀器結(jié)構(gòu)緊湊，全自動(dòng)控制，設(shè)計(jì)符合人體工程學(xué)，所得結(jié)果一致，可重復(fù)性高。
| 品牌 | 鄭科探 | 濺射氣體 | 根據(jù)需求氣體 |
|---|---|---|---|
| 樣品臺(tái)尺寸 | φ50mm | 控制方式 | 觸摸屏智能控制 |
| 樣品倉(cāng)尺寸 | φ160x160mm | 靶材尺寸 | 50mm |
| 靶材材質(zhì) | 金 鉑 銅 銀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1-5萬(wàn) |
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅
以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時(shí),不可避免地會(huì)引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量.微量的硫可以防止熱加工時(shí)晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋;但當(dāng)硫元素含量高于18 ppm時(shí),會(huì)出現(xiàn)微裂紋;隨著兩種雜質(zhì)元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數(shù)量和電弧放電的數(shù)量會(huì)增加.因此,應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量,以提高薄膜的均勻性。
銅靶材鍍膜濺射儀
應(yīng)用領(lǐng)域：
離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過(guò)向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀(guān)測(cè)效率，另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳，實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠(chǎng)家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；
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控制方式 |
7寸人機(jī)界面 手動(dòng) 自動(dòng)模式切換控制 |
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濺射電源 |
直流濺射電源 |
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鍍膜功能 |
0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
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功率 |
≤1000W |
|
輸出電壓電流 |
電壓≤1000V 電流≤1A |
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真空 |
機(jī)械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
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濺射真空 |
≤30Pa |
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擋板類(lèi)型 |
電控 |
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真空腔室 |
石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
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樣品臺(tái) |
可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底） |
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樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速 |
8轉(zhuǎn)/分鐘 |
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樣品濺射源調(diào)節(jié)距離 |
40-105mm |
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真空測(cè)量 |
皮拉尼真空計(jì)（已安裝 測(cè)量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
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預(yù)留真空接口 |
KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口 |
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